Sens-Tech 公司目前主要提供四種X 射線數(shù)據(jù)采集產(chǎn)品：XDAS-V3 系列、XDAS-HE 系列、LINX 系列X射線線陣列探測(cè)系統(tǒng)

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更新時(shí)間：2025-11-07

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產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

光學(xué)器件/探測(cè)器

自定義光學(xué)計(jì)量方案光電倍增管 InGaAs陣列探測(cè)器反射鏡一體化X光管紅外探測(cè)器帶通濾光片單點(diǎn)探測(cè)器線陣探測(cè)器面陣探測(cè)器光學(xué)元件 XRF產(chǎn)品相關(guān) 氣體傳感器

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產(chǎn)品介紹

X射線線陣列探測(cè)系統(tǒng)

英國(guó)Sens-Tech 公司是X 射線探測(cè)器和信號(hào)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的專業(yè)開發(fā)商、供應(yīng)商，其在X 射線線掃描成像和CT 領(lǐng)域擁有豐富且成功的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)。Sens-Tech 的系統(tǒng)集成信號(hào)探測(cè)、模擬信號(hào)放大、數(shù)字信號(hào)輸出于一體，有多種控制功能可選擇，可方便的與計(jì)算機(jī)連接，實(shí)現(xiàn)圖像或信號(hào)的數(shù)字化處理。

X射線線陣列探測(cè)系統(tǒng)

探測(cè)器有硅光電二管陣列和閃爍晶體組成。二管陣列可以是一維或者兩維掃描方式，由具體應(yīng)用決定。選擇探測(cè)器需要充分考慮光譜響應(yīng)、電容、暗電流、靈敏度、探測(cè)面積以及串?dāng)_的影響，并選用與閃爍晶體的發(fā)射波段相匹配的探測(cè)器。并盡可能降低暗噪聲，減小偏移量，獲得的響應(yīng)。同時(shí)，讓各探測(cè)單元的探測(cè)面積和串?dāng)_達(dá)到*化。

閃爍晶體根據(jù)探測(cè)能量的不同，厚度和尺寸可以根據(jù)用戶的要求進(jìn)行定制。

Sens-Tech 公司目前主要提供四種X 射線數(shù)據(jù)采集產(chǎn)品：XDAS-V3 系列、XDAS-HE 系列、LINX 系列

Sens-Tech 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的參數(shù)

材料	厚度	能量范圍	每單位能量的信號(hào)輸出	信號(hào)衰減時(shí)間	備注
Silicon	300μm	5-30keV	zui高，直接轉(zhuǎn)化	1us (非偏置)	光電二管直接探測(cè)，不使用閃爍晶體
Gadox(Tb)	0.31mm	20-100keV	近似CsI	2-3ms	熒光條，無法進(jìn)行像素分割來防止串?dāng)_
Gadox A	0.2mm		低于Gadox(Tb)20%	＜1ms
Gadox B	0.4mm		高于Gadox(Tb)10%	＜1ms
CsI(Tl)	0.4-4mm	40-160keV	光轉(zhuǎn)換效率zui高	2個(gè)不同的衰減時(shí)間，微妙級(jí)	像素被分割成陣列，以減少串?dāng)_
CdWO4	2.5-30mm	150keV-9MeV	約為CsI的25%	20us	像素被分割成陣列，以減少串?dāng)_，價(jià)格昂貴
GOS	2.9mm	100-200keV	20% than CdWO4	3us	抗強(qiáng)輻射